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Zwei Hände legen eine Platine auf
Foto: Regensburg OTH/Florian Hammerich

Infrastruktur

Unser Reinraum für Mikro- und Nanotechnologie besteht seit Anfang der 2000er Jahre. Er ist in Größe und Ausstattung einzigartig an Bayerns Hochschulen für angewandte Wissenschaften

  • Reinraum 167 m2 
  • Technologie 97 m2 Klasse 10.000
  • Maskenherstellung 16 m2 Klasse 1.000
  • Analytik 54 m2 Klasse 10.000

Forschung

Im Reinraum können alle Prozessschritte zur Herstellung von Mikro-Elektro-Mechanischen Systemen (MEMS), mikrofluidischen Bauteilen und strukturierten Oberflächen für andere Anwendungen durchgeführt werden.  Die Anlagen werden von vielen Arbeitsgruppen an der OTH für Forschungsprojekte genutzt, zum Beispiel von: 

Ausstattung

      • Schichtabscheidung

        Ofenprozesse: Oxid feucht, trocken

      • Lithografie

        Maskenerstellung (10 µm)

      • Ätzen / Reinigung

        Nasschemisch: Single Wafer, Backside, Batch

      • Schichtabscheidung

        LPCVD Si, Si3N4, SiO2

      • Lithografie

        Belacken, Entwickeln

      • Ätzen / Reinigung

        Megasonic

      • Schichtabscheidung

        TEOS

      • Lithografie

        Belichten: Proximity, Kontakt beidseitig

      • Ätzen / Reinigung

        RIE, ICP

      • Schichtabscheidung

        Sputtern: Al, Cr, Ti, u. a., auch reaktiv (N2,O2)

      • Ätzen / Reinigung

        Verascher (O2 und CF4)

      • Schichtabscheidung

        Bedampfen mit Elektronenstrahlverdampfer: verschiedene Schichten

      • Schichtabscheidung

        PECVD: SixOy, SixNy

    Schichtabscheidung

    Lithografie

    Ätzen / Reinigung

    Ofenprozesse: Oxid feucht, trocken

    Maskenerstellung (10 µm)

    Nasschemisch: Single Wafer, Backside, Batch

    LPCVD Si, Si3N4, SiO2

    Belacken, Entwickeln

    Megasonic

    TEOS

    Belichten: Proximity, Kontakt beidseitig

    RIE, ICP

    Sputtern: Al, Cr, Ti, u. a., auch reaktiv (N2,O2)

    Verascher (O2 und CF4)

    Bedampfen mit Elektronenstrahlverdampfer: verschiedene Schichten

    PECVD: SixOy, SixNy

    • Schichtdickenmessungen, REM, EDX, AFM,
    • Mikroprofilometrie, (Konfokale) Mikroskopie, Ellipsometrie, Stressmessung
    • Ultraschallmikroskop, Linsenmessgerät
    • Rauhigkeitsmessung (Profilometer, AFM, Mikro-Raman)
    • Stressmessungen auf Chipebene mittels Mikro-Raman
    • Stressmessungen auf Waferebene mittels Profilometer bis 8“
    • Vibrationsviskosimeter

  • Für die chemische Analytik nutzen wir unser Labor Chemie II


    • Waferprober für Kennlinienaufnahmen und GOI-Messungen
    • Vierspitzenmessgerät

    • Anodischer Bonder
    • Wafersäge

Team

Laborleitung: Prof. Dr. Rupert Schreiner, Prof. Dr. Corinna Kaulen, Prof. Dr. Martin Kammler

Prozessingenieurin: Marion Fuchs

Labortechnikerin: Dagmar Hornik